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在充電市場中，PD電源以其產(chǎn)品的特點(diǎn)優(yōu)勢正在不斷的蠶食傳統(tǒng)的電源適配器的營銷份額，尤其是在手機(jī)端跟電腦端更為明顯。對于PD電源廠家該如何持續(xù)的提升自身產(chǎn)品力呢？

本文將從產(chǎn)品的半導(dǎo)體元器件使用的角度來給予建議，對于PD電源是否有比較適用而又能代替IPT015N10N5場效應(yīng)管的產(chǎn)品呢？

實(shí)際在國產(chǎn)市場中，目前已經(jīng)有一款385A電流、100V電壓參數(shù)的MOS管，能更適合的使用在PD電源中。市場上能持續(xù)供貨的就有FHL385N1F1A這款產(chǎn)品，它是可替代IPT015N10N5場效應(yīng)管使用的國產(chǎn)MOS管。

因其參數(shù)，便決定它能夠進(jìn)行替換IPT015N10N5型號參數(shù)，讓PD電源更安全。它是由國內(nèi)專注研發(fā)20年的MOS管廠家生產(chǎn)，它作為MOS管源頭廠家生產(chǎn)的產(chǎn)品，是可以替換IPT015N10N5型號參數(shù)的場效應(yīng)管。

當(dāng)然對于電子工程師一定要詳細(xì)了解產(chǎn)品的參數(shù)，那我們來看看飛虹這款FHL385N1F1A的具體產(chǎn)品參數(shù)：

具有385A、100V的電流、電壓， RDS(on) = 1.5mΩ(MAX) @VGS = 10 V，RDS(on) =1.3mΩ(TYP) @VGS = 10 V，最高柵源電壓@VGS =±20 V。

FHL385N1F1A是一款N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管，F(xiàn)HL系列產(chǎn)品采用TOLL-8L封裝外形，其封裝產(chǎn)品具有低封裝內(nèi)阻、低寄生電感、小體積、低熱阻等特點(diǎn)。

這款產(chǎn)品還具體參數(shù)值為：Vgs（±V）：20；VGS（th）：2.0-4.0V；ID（A）：385A；BVdss（V）：100V。

最大脈沖漏極電流（IDM ）：1540（A）、靜態(tài)導(dǎo)通電阻（typ）：1.3mΩ、反向傳輸電容：940pF。

在PD電源中，MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）主要扮演著開關(guān)和調(diào)節(jié)電流的角色。因此選擇能替代IPT015N10N5場效應(yīng)管一定要選擇優(yōu)質(zhì)的國產(chǎn)MOS管。

在國產(chǎn)化的場效應(yīng)管替換使用過程中，飛虹國產(chǎn)型號：FHL385N1F1A型號參數(shù)來替換IPT015N10N5型號。它工業(yè)級的產(chǎn)品特點(diǎn)，讓其能更廣泛使用在PD電源、電池管理系統(tǒng)（BMS）、同步整流、電動摩托車72V蓄電池電機(jī)控制、電動四輪觀光車、鋰電保護(hù)、通信電源等高功率密度應(yīng)用場景；mos管品牌替代型號：IPT015N10N5。

100V、385A 的MOS管替換使用，選對的型號參數(shù)是很重要。飛虹已獲得實(shí)用專利及發(fā)明15項(xiàng)，并與中山大學(xué)、中科院合作研發(fā)GaN器件。飛虹產(chǎn)品已經(jīng)在PD電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器、BLDC電機(jī)驅(qū)動中獲得廣泛應(yīng)用，幫助合作伙伴解決符合國情、符合國際質(zhì)量的國內(nèi)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。除提供免費(fèi)試樣外，更可根據(jù)客戶需求進(jìn)行量身定制MOS管產(chǎn)品。直接百度輸入“飛虹半導(dǎo)體”即可找到我們，免費(fèi)試樣熱線：400-831-6077。