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歡迎進入飛虹半導體官網，純國產IGBT|MOS管|場效應管生產廠家 咨詢熱線： 400-831-6077

04 06 2025

國產SGTMOSFET崛起：250N1F2A如何替代英飛凌IPP030N10N3G？

隨著國產半導體技術的不斷突破，飛虹半導體的SGTMOSFET 250N1F2A憑借其低導通內阻、高可靠性和優異的性價比，成為替代英飛凌IPP030N10N3G的理想選擇。本文深入探討MOS管選型的關鍵點，并結合太陽能逆變器應用場景，解析250N1F2A如何助力高效能設計。
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05 24 2025

國產MOS管250N1F2A限時試樣！替代英飛凌IPP030N10N3G省成本30%

飛虹半導體SGT工藝MOS管250N1F2A通過100%雪崩測試，內阻低至2.5mΩ，完美適配車載逆變器等應用，現提供免費試樣服務。
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02 09 2025

提升BMS性能，國內FHS200N4F3A場效應管有效代換IPP041N04NG

順應科技的迅猛發展，各行業對絕緣柵雙極晶體管的要求累計增加。重點是在BMS、太陽能逆變器等領域，對于控制與調節電流的器件——場效應管的要求是亟需解決。究竟如何決計一款國內能代換IPP041N04NG型號用于BMS電路中的顯得需要。
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11 18 2024

國內MOSFET型號：FHS170N8F3A，替換IPP037N08N3G參數的秘密

對于13-17串的BMS保護板電子技術員而言，在替換IPP037N08N3G型號MOSFET時，需求特別留意多個重點細節。首先是MOSFET的性能參數，如額定電流能否做到185a、額定電壓能否做到85V等，前述參數與器件的工作效率有明顯相互關系的。
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12 29 2024

FHA250N1F2A中低壓MOSFET，競爭國外品牌英飛凌IPP030N10N3G的國產之力

正弦波逆變器電子設計師在選拔英飛凌IPP030N10N3G型號中低壓MOSFET時，建議重視其性能參數，例如說，額定電流能否得到250安、額定電壓能否得到100V等，以上指標與正弦波逆變器電路的工作效率直接牽涉。不可或缺的是，反向并行的快恢復和拖尾電流也是首當其沖的重點。
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06 08 2025

國產MOS管逆襲記：飛虹250N1F2A如何破解英飛凌IPP030N10N3G替代困局

當某新能源車企因進口MOS管斷貨陷入停產危機時，飛虹半導體SGT工藝250N1F2A系列以100%雪崩測試和2.5mΩ超低內阻實現完美替代，為車載逆變器設計提供國產化新選擇。
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01 15 2025

不容錯過的代換挑選：FHP200N6F3An溝道增強型MOSFET挑戰IPP04N06N3

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11 04 2024

FHP170N8F3A與IPP037N08N3G，低壓mos管參數深度解讀

185A、85V參數是BLDC電機驅動廠家的楊工程師尋覓純國產低壓mos管代換廠家的關注點，其企望尋覓質量十分好的低壓mos管廠家。
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11 23 2024

理想代換品：國產FHP170N8F3Amos管的全面技術評估

現時的情況mos管產品面臨品牌口碑下降、可靠性低等困難，這些都密切關系在線式ups設備的可靠運行，選定比較好能代換mos管重要。
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12 22 2024

國產優秀MOSFET，FHS200N4F3A型號代替IPP041N04NG的市場分析

大規模全球BMS生產廠家先前已經將FHS200N4F3A當作IPP041N04NG的代替品，還能夠獲得廣泛采納。建議大家詳細知道其性能參數：
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12 04 2024

讓您的同步整流電路電路更穩定，決定FHA170N8F3A低壓場效應晶體管代換IPP037N08N3G

市場上的低壓場效應晶體管產品常常常見效率下降、產品縮短壽命、散熱不良等通用矛盾，這些核心任務都會關聯緊密同步整流電路設備的正常狀態，因為這個原因供貨穩定性保障有序的優質低壓場效應晶體管對市場占有率緊要的。
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04 24 2025

國產MOS管170N8F3A：如何完美替代IPP037N08N3G，助力儲能電源設計

本文深入探討國產MOS管170N8F3A在儲能電源設計中的優勢，分析其如何完美替代IPP037N08N3G，并介紹飛虹半導體在技術研發與產品可靠性方面的實力，為電子工程師提供選型參考。
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06 21 2025

代換IRFP4310PBF型號參數的國產MOS管,助力UPS提升轉換效率!

?在UPS(不間斷電源)系統的核心功率電路設計中,MOS管的性能、效率與可靠性直接決定了整機的轉換效率、輸出質量、熱管理和長期運行穩定性。因此，對于UPS研發工程師而言，選擇能夠完美代換IRFP4310PBF參數且滿足UPS嚴苛要求的高性能MOS管至關重要。
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02 26 2025

大功率場效應管新星，為何FHS110N8F5B能勝任代換IPP052N08N5的任務

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12 24 2024

國產代換的參數證明，FHA40T65A代換仙童FGH40N60SFD的IGBT特點

當家庭影院變頻器電子工程師決計仙童FGH40N60SFD型號IGBT進行代換時，需求準確評估多個核心參數。首先，IGBT的性能參數非常關注，正如說電流能否得到40a、電壓能否得到600V等，以上參數主要影響了器件的工作效率。而且，電壓上升率(dv/dt)和拖尾電流也核心性能。
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03 29 2025

2025年國產MOS管新品：70N11V無縫代換JCS60N10、IRF3710型號參數！

?音響功放、步進電機驅動器在設計電路時卡在怎么選型的問題？想用JCS60N10、IRF3710這兩款型號，但又擔心成本與供應鏈的問題？
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05 17 2025

代換經典型號IRF3710，國產MOS管FHP70N11V提升車載逆變器性能！

MOS管在 DC-AC逆變器中承擔高頻開關與功率轉換核心功能，其開關速度、導通損耗、耐壓能力及熱穩定性直接決定逆變效率。IRF3710雖為經典型號，但國產化方案FHP70N11V憑借更優參數與工藝，可顯著提升車載逆變性能并保障供應鏈安全。
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03 28 2025

限時優惠！SGTMOSFET FHP3205D代換IRF3205，助力300W逆變器高效運行

本文詳細介紹了飛虹半導體SGTMOSFET FHP3205D的產品特性及其在300W逆變器前級電路中的應用，幫助用戶解決選型難題，并提供限時優惠信息，吸引用戶了解并選擇飛虹半導體產品。
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11 01 2024

電路新風向，FHD120N7F6ASGTMOSFET可不可以代替FHP100N07C

飛虹半導體強烈提議揀選FHD120N7F6A型號的SGTMOSFET，以提升功率開關電路的控制能力。這種120a、70V的SGTMOSFET符合實時克服產品可靠性低、安全效益差等麻煩問題。
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03 01 2025

2025年國產MOS管新品：FHP1404V無縫代換1404、4004型號參數！

針對12V輸入電路的產品電路設計，需要有更高的電壓安全系數。這一款2025年新推出到市場的國產MOS管以BVDSS_typ=55V的參數性能幫助解決上述問題。
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