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低壓SGTMOSFET電路性能升級—FHP60N1F10A與IPP126N10N3G性能國產替代

文章類別：MOS管資訊發布時間：2024-10-01 瀏覽量：611 分享至：

技術的持續優化促進了電力電子開關器件在各個專業遍地開花的應用，特為是在DC/DC電源和數據中心的電源供應等領域，對于低壓SGTMOSFET這種符合于精確控制和調節電流的器件的需求更加馬上。在DC/DC電源電路中，揀選一款獨特的的純國產低壓SGTMOSFET器件來國產替代IPP126N10N3G型號顯得首要。

低壓SGTMOSFET的質量問題如可靠性降低、效率下降、散熱效果不佳等，都是對DC/DC電源的常規執行造成影響，追求很高質量的國產替代型號低壓SGTMOSFET產品就顯得首要。

IPP126N10N3G型號低壓SGTMOSFET在DC/DC電源電子工程中的使用，需要技術員著重考慮其性能參數，例如說，電流能否得到了60安、電壓能否得到了100v等，所列參數直接控制著DC/DC電源電路的工作效率。考慮到，器件的反向并行的快恢復和電壓上升率(dv/dt)也首要的關注點。

FHP60N1F10A，一款起作用于要求苛刻的DC/DC電源電子技術員的低壓SGTMOSFET產品。它在技術上精準適宜IPP126N10N3G，詳細參數可考慮：

1、N溝道場效應晶體管
2、具有60安電流、100v電壓
3、快速的開關能力
4、閾值電壓VGS（th）：2.0-4.0V
5、RDS(ON)：10.2mΩ（Typ）、12mΩ（Max）
6、最高柵源電壓：±20V

為了增強DC/DC電源電路的轉換電流性能，飛虹半導體樂意舉薦揀選型號為FHP60N1F10A的低壓SGTMOSFET。這款額定電流60安、額定電壓100v的低壓SGTMOSFET，符合于現實解除產品可靠性降低、效率下降、散熱效果不佳等麻煩。

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