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卓越的熱性能，F(xiàn)HP200N6F3A中低壓MOSFET應該如何提升升壓變換器電路穩(wěn)定性

文章類別：MOS管資訊發(fā)布時間：2024-10-29 瀏覽量：570 分享至：

中低壓MOSFET是升壓變換器的核心特征，選哪個中低壓MOSFET生產(chǎn)廠家才能具有能替代IPP04N06N3型號MOSFET用在升壓變換器電路中？

目前中低壓MOSFET產(chǎn)品面臨產(chǎn)品縮短壽命、效率下降等疑難雜癥，這些都直接對應升壓變換器設備的可靠運行，挑選品質(zhì)高能替代中低壓MOSFET要緊的。

升壓變換器電子工程師在替代IPP04N06N3型號中低壓MOSFET運行時，需求注重不少核心特性。例如，中低壓MOSFET的性能參數(shù)：額定電流能否達到了200A、電壓能否達到了60V等，提及都直接對應器件的工作效率。除了以上因素，熱阻和電流上升率也是核心的因素。

倚仗了升壓變換器電子工程師的定制型需求，F(xiàn)HP200N6F3A供給了一個專業(yè)的中低壓MOSFET解決應對策略，其技術規(guī)格與IPP04N06N3達到了同樣水準，詳情注重其詳盡的參數(shù)：

1、具有200A電流、60V電壓
2、正向最大連續(xù)電流：200A
3、靜態(tài)導通電阻RDS(ON)：2.85mΩ（Typ）、3.5mΩ（Max）
4、閾值電壓VGS（th）：2.0-4.0V
5、最高柵源電壓Vgs：±20V
6、場N溝道增強型
7、開關速度快

飛虹半導體非常愿意舉薦使用FHP200N6F3A型號的中低壓MOSFET，以抬升升壓變換器電路的控制能力。這種額定參數(shù)為200A、60V的中低壓MOSFET，兼顧實在應對產(chǎn)品產(chǎn)品縮短壽命、效率下降等疑難雜癥。

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