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對比分析:純國產FHD100N8F6A中低壓SGTMOSFET國產替代國際型號STP110N8F6

文章類別:MOS管資訊 發布時間:2024-12-12 瀏覽量:405 分享至:
中低壓SGTMOSFET是BMS保護板的核心特性,是能直接影響其電路穩定性。該以怎樣方式選型中低壓SGTMOSFET才能算是適合BMS保護板電路的產品呢? 中低壓SGTMOSFET市場現世常見的常規不利有電磁干擾、可靠性弱、散熱效果不佳等,所述不利除了嚴重阻礙了BMS保護板的正常工作,況且導向了維護費用。由于這個原因,決定無瑕品質的中低壓SGTMOSFET國產替代產品重點。 BMS保護板電子工程師在國產替代STP110N8F6型號中低壓SGTMOSFET使用時,需求看不少重要考量。好像,中低壓SGTMOSFET的性能參數:額定電流會不會做到了120A、電壓會不會做到了85V等,所述都密切關系器件的工作效率。除了上述內容,電流上升率和短路耐量(ShortCircuitCapability)也是關鍵的關注點。 BMS保護板廠家產品電路之前用STP110N8F6型號SGTMOSFET。當前的實際形勢和狀況,需要求助純國產中低壓SGTMOSFET工廠供應FHD100N8F6A型號的中低壓SGTMOSFET用在BMS保護板國產替代STP110N8F6型號SGTMOSFET使用。 1、正向最大脈沖電流:320A 2、最高柵源電壓:±20V 3、快速的開關能力 4、具有120A電流、85V電壓 5、靜態導通電阻RDS(ON):5.3mΩ(Typ)、6.5mΩ(Max) 6、閾值電壓VGS(th):2.0-4.0V 7、N溝道場效應晶體管 由于這個原因需要提升增多BMS保護板電路的轉換電流能力,飛虹半導體樂意推薦決定FHD100N8F6A型號中低壓SGTMOSFET。120A、85V的中低壓SGTMOSFET,它實時排解產品電磁干擾、可靠性弱、散熱效果不佳等存在難題。 BMS保護板等電子產品開發不再難,有飛虹半導體的FHD100N8F6A型號中低壓SGTMOSFET在提供開關電源、便攜式儲能電源等解決即時方案。元器件供應穩定,趕緊撥打400-831-6077試樣熱線體驗服務!

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