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FHP1906V

FHP1906V采用先進的溝槽技術，降低了導通損耗，提高了開關性能，提高了雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關電路，實現系統小型化和高效率。產品外形是TO-220封裝，符合JEDEC標準，在環保上符合RoHS和REACH標準、無鹵環保。

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FHP10N60D/FHF10N60D

10N60高壓mos管（對標型號：FQP10N60、TK10A60D），為N溝道增強型高壓功率MOS場效應管。該產品廣泛適用于AC-DC開關電源， DC-DC電源轉換器，高壓H橋PMW馬達驅動。

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FHP80N08B

飛虹80N08B場效應管，N溝道溝槽工藝MOS管，適用于逆變器前級電路。其它品牌替代型號：HY3008、IRF3607

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FHN70N04LA

飛虹70N04LA，Trench N-Chanel MOSFET PDFN5×6-8L封裝產品，具有RDS(ON)小，EAS性能好等特點，PDFN5×6-8L封裝產品廣泛應用于各類開關應用、BMS、和直流電機驅動(吸塵器/掃地機/電動工具)。其它mos管品牌替代型號：ZM042N04N、AON6236、VS4610AP。

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FHP730B

飛虹730，為N溝道增強型高壓功率場效應管。該產品主要應用于150W/220V方波輸出的逆變器電路，DC-AC電源轉換器，DC-DC電源轉換器，高壓H橋PMW馬達驅動。可替代其它場效應管品牌型號：6N40、7N40、IRF730B；

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FHP540C

FHP540C采用plane平面工藝來獲得抗浪涌沖擊能力強特點,可使用在步進電機驅動器上，適配各類機械手臂、機床設備、升降桌椅等終端應用場景。替換場效管：IRF540 等

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FHP80N08B/FHS80N08B

飛虹80N08B場效應管，N溝道溝槽工藝MOS管，適用于逆變器前級電路。其它品牌替代型號：HY3008、IRF3607

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FHF10N80D/FHA10N80D

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FHP5N65C/FHF5N65C

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FHP45N20W

針對功放系統的高效率、低失真度和EMI等特性表現，FHP45N20W采用平面工藝VDMOS,擁有優異的抗沖擊特性前提下優化Rdson、 Qg、trr等參數，從而廣泛適配使用在Class-D功放電路上，如汽車功放、DSP功放上。替代型號：IRFB38N20D 等

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FHA40N65W

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FHP30N30W/FHF30N30W/FHA30N30W

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FHA064NA

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FHP1404

飛虹1404，N溝道溝槽工藝MOS管，適用于500W/12V輸入的逆變器的前級電路。可替代場效管：IRF1404、HY4004

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FHP40N25W/FHF40N25W/FHA40N25W

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FHA50N25W

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FHF9N90B/FHA9N90B

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FHP230N06V

FHP230N06V采用先進的溝槽技術，降低了導通損耗，提高了開關性能，提高了雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關電路，實現系統小型化和高效率。產品外形是TO-220封裝，符合JEDEC標準，在環保上符合RoHS和REACH標準、無鹵環保。

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FHP33N25W/FHF33N25W/FHA33N25W

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FHP15N10D

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FHP18N25W/FHF18N25W

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FHP10N50W/FHF10N50W/FHD10N50W

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FHP3773W/FHF3773W/FHA3773W

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FHP20N65W/FHF20N65W/FHA20N65W

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Part Number	Polarity	Package	Vgs（±V）	VTH（V）	ID(A)	BVdss(V)	Rds（on）(Ω)
型號	極性	封裝形式	Vgs（±V）	VTH（V）	ID(A)	BVdss(V)	Vgs=10v (typ)	Vgs=10v (max)

Model	Polarity	Package	PIN	Vgs（±V）	VTH（V）	ID（A）	BVdss（V）	Rds（on）[mΩ](typ)	Rds（on）[mΩ](max)
型號	極性	封裝形式	腳位排列	Vgs（±V）	VTH（V）	ID（A）	BVdss（V）	Vgs=10V	Vgs=10V
4410	N	TO-220	GDS	25	2-4	140	100	5.7	7.2

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